Tamara Popovic: Katalogdaten im Frühjahrssemester 2023 |
Name | Frau Dr. Tamara Popovic |
Adresse | Professur f. Millimeterwellen-Elek ETH Zürich, ETZ K 84 Gloriastrasse 35 8092 Zürich SWITZERLAND |
Telefon | +41 44 632 54 05 |
tamarasa@mwe.ee.ethz.ch | |
Departement | Informationstechnologie und Elektrotechnik |
Beziehung | Dozentin |
Nummer | Titel | ECTS | Umfang | Dozierende | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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227-0056-00L | Halbleiterbauelemente | 4 KP | 2V + 2U | C. Bolognesi, T. Popovic | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Kurzbeschreibung | The course covers the basic principles of semiconductor devices in micro-, opto-, and power electronics. It imparts knowledge both of the basic physics and on the operation principles of pn-junctions, diodes, contacts, bipolar transistors, MOS devices, solar cells, photodetectors, LEDs and laser diodes. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Lernziel | Understanding of the basic principles of semiconductor devices in micro-, opto-, and power electronics. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Inhalt | Brief survey of the history of microelectronics. Basic physics: Crystal structure of solids, properties of silicon and other semiconductors, principles of quantum mechanics, band model, conductivity, dispersion relation, equilibrium statistics, transport equations, generation-recombination (G-R), Quasi-Fermi levels. Physical and electrical properties of the pn-junction. pn-diode: Characteristics, small-signal behaviour, G-R currents, ideality factor, junction breakdown. MOS devices: Band diagram, MOSFET operation, CV- and IV characteristics, frequency limitations and non-ideal behaviour. Bipolar transistor: Operation principles, modes of operation, characteristics, models, simulation. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Skript | Lecture slides. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Literatur | The course follows the book Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits by Chenming Hu. More detailed book: Neamen, Semiconductor Physics and Devices, ISBN 978-007-108902-9, Fr. 89.00 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Voraussetzungen / Besonderes | Qualifications: Physics I+II | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Kompetenzen |
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227-0112-00L | High-Speed Signal Propagation | 6 KP | 2V + 2U | C. Bolognesi, T. Popovic | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Kurzbeschreibung | Verständnis der Hochgeschwindigkeits-Signalausbreitung in Mikrowellenkabel, integr. Mikrowellenschaltungen und Leiterplatten. Da Sytemtaktfrequenzen stets in höhere GHz Bereiche vordringen, ist es notwendig die Hochgeschwindigkeits-Signalausbreitung zu verstehen, um Signalintegrität zu gewährleisten. Der Kurs richtet sich an Interessierte an analogen/digitalen Hochgeschwindigkeitssystemen. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Lernziel | Verständnis der Hochgeschwindigkeits-Signalausbreitung in Verbindungsleitern, Mikrowellenkabel und integrierten Übertragungsleitungen wie zum Beispiel in integrierten Mikrowellenschaltungen und/oder Leiterplatten. Da Systemtaktfrequenzen kontinuierlich in höhere GHz Bereiche vordringen, entwickelt sich das dringende Bedürfnis die Hochgeschwindigkeits-Signalausbreitung zu verstehen um nach wie vor eine hohe Signalintegrität zu gewährleisten, insbesondere angesichts Phänomenen wie der Intersymbol-Interferenz (ISI) und des Übersprechens. Konzepte wie Streuparameter (oder S-Parameter) übernehmen eine Schlüsselrolle in der Charakterisierung von Netzwerken über grosse Bandbreiten. Bei hohen Frequenzen werden alle Strukturen effektiv zu "Übertragungsleitungen". Ohne besondere Vorsicht ist es sehr wahrscheinlich, dass eine schlecht entworfene Übertragungsleitung zum Versagen des gesamten entworfenen Systems führt. Filter werden ebenfalls behandelt, da sich herausstellt, dass einige der Probleme von verlustbehafteten Übertragungskanälen (Leitungen, Kabel, etc.) durch adäquates filtern korrigiert werden können. Ein Prozess der "Entzerrung" genannt wird. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Inhalt | Leitungsgleichungen der TEM-Leitung (Telegraphengleichungen). Beschreibung elektrischer Grössen auf der TEM Leitung; Reflexion im Zeit- und Frequenzbereich, Smith-Diagramm. Verhalten schwach bedämpfter Leitungen. Einfluss des Skineffekts auf Dämpfung und Impulsverzerrung. Leitungsersatzschaltungen. Gruppenlaufzeit und Dispersion. Eigenschaften gekoppelter Leitungen. Streuparameter. Butterworth-, Tschebyscheff- und Besselfilter: Einführung zum Filterentwurf mit Filterprototypen (Tiefpass, Hochpass, Bandpass, Bandsperre). Einfache aktive Filter. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Skript | Skript: Leitungen und Filter Lecture notes: English | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Voraussetzungen / Besonderes | Die Uebungen werden auf Englisch gehalten. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Kompetenzen |
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